Micron Kembangkan NAND G11 dengan Lebih dari 400 Lapisan untuk SSD Mendatang
Perkembangan teknologi penyimpanan data kembali mencatat kemajuan setelah Micron Technology mengungkap rencana pengembangan NAND G11 dengan struktur lebih dari 400 lapisan. Inovasi yang dipaparkan dalam webinar teknologi perusahaan pada 21 Oktober 2026 ini ditujukan untuk meningkatkan kepadatan penyimpanan, kecepatan transfer, dan efisiensi energi pada generasi SSD mendatang. Dibandingkan NAND G9 yang menggunakan 276 lapisan, G11 menargetkan kepadatan bit sekitar dua kali lebih tinggi serta peningkatan kecepatan antarmuka hingga 50 persen. Micron juga memperkenalkan pendekatan wafer-on-wafer bonding sebagai bagian penting pengembangannya, dengan peningkatan produksi yang direncanakan mulai berlangsung pada paruh kedua 2027.
Micron Memperkenalkan Generasi Baru NAND dengan Lebih dari 400 Lapisan
Micron Technology kembali memperlihatkan peta jalan teknologi penyimpanan melalui pengenalan NAND G11. Arsitektur penyimpanan tersebut dirancang menggunakan lebih dari 400 lapisan untuk memperbesar kepadatan data dalam area semikonduktor tertentu. Melalui penjelasan teknologinya, Micron menjelaskan arah inovasi penyimpanan untuk mendukung pertumbuhan pusat data. Strategi pengembangan ini menjadi fondasi pengembangan SSD generasi baru yang mengutamakan efisiensi daya dan kinerja.
Langkah strategis yang menonjol adalah pengembangan G11 sebagai penerus teknologi G9. Generasi G9 menggunakan susunan vertikal sebanyak 276 lapisan, sedangkan G11 menargetkan peningkatan yang jauh lebih besar. Micron menjelaskan bahwa, rancangan memori generasi baru dioptimalkan untuk penyimpanan berbasis kecerdasan buatan. Walaupun menawarkan kemajuan menarik, G11 masih memerlukan proses penyempurnaan sebelum dipasarkan. Dengan demikian, angka performa yang diumumkan sebaiknya dipahami sebagai target pengembangan.
Keunggulan NAND G11 dalam Kepadatan Data dan Kecepatan Transfer
Salah satu peningkatan utama NAND G11 adalah kepadatan bit sekitar dua kali lipat dibandingkan G9. Menurut target Micron, kepadatan NAND G11 diperkirakan mencapai kurang lebih 42 gigabit per milimeter persegi. Perubahan arsitektur tersebut membuka peluang penambahan kapasitas tanpa memerlukan pertambahan luas semikonduktor dengan rasio sama. Dalam industri SSD, densitas penyimpanan yang meningkat dapat membantu menghasilkan SSD berkapasitas besar. Walaupun begitu, jumlah data yang dapat ditampung perangkat juga ditentukan oleh jumlah paket NAND yang digunakan.
Di samping menghadirkan struktur lebih padat, Micron juga mengembangkan kemampuan transfer data lebih cepat. Dibandingkan NAND G9, G11 dirancang memiliki kemampuan antarmuka sekitar satu setengah kali lebih cepat. Kemajuan pada jalur transfer ini berpotensi meningkatkan kemampuan komunikasi chip penyimpanan. Kendati peningkatan I/O cukup signifikan, performa antarmuka memori berbeda dari kecepatan produk SSD. Elemen perangkat seperti antarmuka PCIe, arsitektur kanal memori tetap berperan dalam menentukan kecepatan nyata.
Arsitektur Wafer Bonding Mendukung Penyimpanan Generasi Berikutnya
Dalam mendukung rancangan generasi baru, Micron menggunakan pendekatan penggabungan wafer semikonduktor. Metode fabrikasi tersebut memisahkan proses produksi array penyimpanan dari rangkaian pendukung. Ketika kedua bagian telah melalui proses fabrikasi, wafer disejajarkan dan disatukan melalui proses bonding. Pendekatan tersebut memungkinkan pemilihan proses manufaktur yang lebih sesuai. Berkat pemisahan proses ini, array NAND dapat dirancang untuk meningkatkan densitas, sementara bagian logika dioptimalkan sesuai kebutuhan operasional.
Meski menawarkan keuntungan teknis, wafer-on-wafer bonding juga membutuhkan penyelarasan komponen secara akurat. Kesalahan pada proses penyatuan dapat berdampak pada tingkat keberhasilan fabrikasi. Oleh sebab itu, efektivitas penerapan skala industri menjadi faktor penting dalam pengembangan G11. Micron menyatakan bahwa, penggunaan wafer bonding pada G11 dilakukan ketika keuntungan performa dan biaya dipandang relevan. Hal ini memperlihatkan bahwa pengembangan NAND modern tidak hanya ditentukan oleh susunan vertikal sel, tetapi juga memerlukan inovasi proses produksi.
Keunggulan Memori Flash Generasi Baru untuk Infrastruktur Digital
Selain kapasitas dan kecepatan, optimalisasi konsumsi energi menjadi sasaran tambahan dalam pengembangan memori flash generasi kesebelas. Berdasarkan sasaran pengembangan, penurunan energi transfer per bit lebih dari 25 persen dibandingkan teknologi G9. Target efisiensi ini berpotensi memberikan manfaat bagi pusat data yang menangani aktivitas transfer sepanjang waktu. Untuk pusat data dengan banyak perangkat, peningkatan efisiensi setiap perangkat dapat mengurangi sebagian kebutuhan energi sistem. Namun, target tersebut berkaitan dengan energi transfer per bit, bukan pengurangan total daya SSD dengan persentase sama.
Pada laptop dan komputer desktop, peningkatan penggunaan daya pada chip penyimpanan juga berpeluang membantu optimalisasi perangkat. Media penyimpanan dengan efisiensi transfer lebih tinggi dapat membantu pengelolaan daya selama pemindahan data ketika menangani beban kerja berkelanjutan. Walaupun demikian, temperatur operasional SSD tetap ditentukan oleh sejumlah faktor tambahan. Sistem pengelolaan perangkat, pengaturan operasi dan manajemen energi juga memiliki peran penting pada performa perangkat. Karena itu, hasil benchmark perangkat nyata masih dibutuhkan sebelum peningkatan daya dapat dibandingkan secara akurat.
NAND G11 Dipersiapkan untuk SSD dan Kebutuhan Kecerdasan Buatan
Pertumbuhan teknologi kecerdasan buatan meningkatkan permintaan terhadap media penyimpanan cepat. Sistem AI modern sering menggunakan kumpulan data berukuran besar untuk pelatihan model maupun pelaksanaan model yang telah dilatih. Untuk kebutuhan komputasi demikian, NAND G11 dipersiapkan untuk membantu memenuhi permintaan storage modern. Struktur NAND dengan densitas tinggi dapat mendukung pengembangan sistem penyimpanan padat. Sementara itu, peningkatan antarmuka I/O dapat mendukung rancangan SSD generasi berikutnya, terutama apabila diintegrasikan dengan teknologi antarmuka modern.
Perusahaan turut memperkenalkan arah pengembangan SSD khusus AI. Di antara gagasan yang disampaikan adalah SSD dengan kemampuan operasi input dan output lebih besar melalui optimalisasi operasi transfer berukuran kecil. Pendekatan lainnya berfokus pada kemampuan pemindahan data dalam jumlah besar. Kebutuhan tersebut menunjukkan pentingnya desain yang sesuai. Walaupun teknologi G11 memiliki potensi, SSD berbasis NAND tidak otomatis menggantikan HBM atau DRAM. Setiap jenis memori digunakan sesuai kebutuhan performa, sehingga integrasi yang tepat tetap diperlukan untuk memperoleh kinerja optimal.
Teknologi NAND Lebih dari 400 Lapisan Menandai Inovasi Memori Flash
Pengenalan NAND generasi kesebelas Micron memperlihatkan arah perkembangan menarik dalam industri penyimpanan data. Berkat arsitektur memori bertingkat tinggi, teknologi tersebut menargetkan kepadatan bit dua kali lebih besar dibandingkan teknologi sebelumnya. Pengembangan kemampuan transfer data hingga 1,5 kali lipat serta pengurangan energi transfer lebih dari 25 persen menjadi bagian dari keunggulan yang direncanakan. Perusahaan merencanakan perluasan produksi pada paruh kedua 2027, sehingga kemampuan nyata tetap membutuhkan pengujian lanjutan. Bagi pengguna komputer, inovasi ini memberikan gambaran masa depan SSD. Bagaimana pendapat Anda, apakah kecepatan penyimpanan yang terus meningkat akan memberikan dampak terbesar bagi komputasi modern pada beberapa tahun mendatang?
