Micron Kembangkan NAND G11 dengan Lebih dari 400 Lapisan untuk SSD Mendatang

Perkembangan teknologi penyimpanan data kembali mencatat kemajuan setelah Micron Technology mengungkap rencana pengembangan NAND G11 dengan struktur lebih dari 400 lapisan. Inovasi yang dipaparkan dalam webinar teknologi perusahaan pada 21 Oktober 2026 ini ditujukan untuk meningkatkan kepadatan penyimpanan, kecepatan transfer, dan efisiensi energi pada generasi SSD mendatang. Dibandingkan NAND G9 yang menggunakan 276 lapisan, G11 menargetkan kepadatan bit sekitar dua kali lebih tinggi serta peningkatan kecepatan antarmuka hingga 50 persen. Micron juga memperkenalkan pendekatan wafer-on-wafer bonding sebagai bagian penting pengembangannya, dengan peningkatan produksi yang direncanakan mulai berlangsung pada paruh kedua 2027.

Micron Memperkenalkan Generasi Baru NAND dengan Lebih dari 400 Lapisan

Produsen memori asal Amerika Serikat tersebut mengungkapkan strategi inovasi generasi mendatang melalui pengembangan memori flash G11. Arsitektur penyimpanan tersebut ditargetkan memiliki susunan melebihi 400 lapisan untuk meningkatkan kapasitas penyimpanan dalam ruang fisik yang relatif kecil. Pada pemaparan roadmap tersebut, Micron menyoroti kemajuan arsitektur memori flash untuk mendukung pertumbuhan pusat data. Strategi pengembangan ini menjadi fondasi pengembangan SSD generasi baru yang semakin membutuhkan performa tinggi.

Salah satu keputusan menarik adalah peralihan langsung dari NAND G9 ke G11. Generasi G9 menggunakan 276 lapisan penyimpanan, sedangkan G11 menargetkan peningkatan yang jauh lebih besar. Menurut pemaparan perusahaan, rancangan memori generasi baru disesuaikan dengan perkembangan infrastruktur komputasi AI. Walaupun menawarkan kemajuan menarik, G11 masih memerlukan proses penyempurnaan sebelum dipasarkan. Oleh sebab itu, parameter teknologi yang diperkenalkan sebaiknya dipahami sebagai target pengembangan.

Teknologi NAND G11 Menawarkan Kepadatan Penyimpanan Dua Kali Lebih Tinggi

Salah satu peningkatan utama NAND G11 adalah kepadatan bit sekitar dua kali lipat dibandingkan G9. Menurut target Micron, kepadatan NAND G11 ditargetkan berada pada kisaran 42 Gb/mm². Peningkatan tersebut mendukung penyimpanan informasi yang lebih padat tanpa harus memperbesar area chip secara sebanding. Untuk pengembangan media penyimpanan, kemampuan menyimpan lebih banyak bit dapat membantu menghasilkan SSD berkapasitas besar. Meski demikian, ukuran penyimpanan produk komersial juga dipengaruhi rancangan keseluruhan media penyimpanan.

Di samping menghadirkan struktur lebih padat, Micron juga merancang jalur komunikasi NAND dengan performa lebih tinggi. Jika dibandingkan generasi sebelumnya, G11 dirancang memiliki kemampuan antarmuka sekitar satu setengah kali lebih cepat. Perubahan performa antarmuka berpotensi mempercepat pertukaran data antara NAND dan pengendali. Meski angka tersebut terdengar besar, performa antarmuka memori berbeda dari kecepatan produk SSD. Elemen perangkat seperti antarmuka PCIe, pengelolaan cache dan penjadwalan operasi tetap menentukan hasil penggunaan dalam berbagai pekerjaan.

Arsitektur Wafer Bonding Mendukung Penyimpanan Generasi Berikutnya

Sebagai bagian dari strategi pengembangannya, Micron mengadopsi teknologi wafer-on-wafer bonding. Teknik manufaktur canggih ini memberikan kesempatan mengembangkan bagian memori dan logika pada wafer berbeda. Sesudah struktur semikonduktor disiapkan, wafer disejajarkan dan disatukan melalui proses bonding. Proses penggabungan ini memberikan fleksibilitas dalam mengoptimalkan tiap bagian. Berkat pemisahan proses ini, sel memori dapat difokuskan pada kepadatan, sementara rangkaian periferal dikembangkan untuk kinerja.

Walaupun memiliki potensi besar, wafer-on-wafer bonding juga menuntut tingkat ketelitian manufaktur tinggi. Gangguan selama tahapan bonding dapat berdampak pada tingkat keberhasilan fabrikasi. Dengan mempertimbangkan tantangan ini, efektivitas penerapan skala industri menjadi faktor penting dalam pengembangan G11. Menurut rencana yang dipublikasikan perusahaan, penerapan teknik penggabungan wafer dilakukan ketika keuntungan performa dan biaya dipandang relevan. Strategi ini menggambarkan bahwa kemajuan semikonduktor penyimpanan tidak hanya berfokus pada peningkatan tinggi struktur, tetapi juga membutuhkan penyempurnaan arsitektur chip.

Efisiensi Energi NAND G11 Mendukung Kebutuhan SSD Modern

Di samping peningkatan densitas penyimpanan, pengurangan kebutuhan daya memperoleh perhatian utama dalam penyempurnaan arsitektur penyimpanan Micron. Berdasarkan sasaran pengembangan, pengurangan konsumsi energi per bit yang ditransfer di atas 25 persen dibandingkan NAND generasi kesembilan. Rencana penghematan energi itu berpotensi memberikan manfaat bagi pusat data yang memproses lalu lintas data secara berkelanjutan. Untuk pusat data dengan banyak perangkat, peningkatan efisiensi setiap perangkat dapat mendukung pengelolaan konsumsi listrik. Namun, target tersebut mengacu pada efisiensi pemindahan informasi, bukan jaminan penghematan listrik perangkat secara keseluruhan.

Untuk perangkat komputasi konsumen, penghematan energi dalam memori flash juga dapat memberikan manfaat potensial. Media penyimpanan dengan efisiensi transfer lebih tinggi mungkin mendukung efisiensi penggunaan energi ketika menangani beban kerja berkelanjutan. Meski keunggulannya menjanjikan, temperatur operasional SSD tetap dipengaruhi berbagai komponen lain. Controller SSD, pengaturan operasi dan manajemen energi juga menentukan hasil penggunaan nyata. Oleh sebab itu, hasil benchmark perangkat nyata masih dibutuhkan sebelum manfaat efisiensi dapat dinilai secara menyeluruh.

Teknologi Penyimpanan G11 Mendukung Perkembangan Infrastruktur AI

Meningkatnya penggunaan kecerdasan buatan mendorong kebutuhan penyimpanan lebih besar. Infrastruktur kecerdasan buatan sering menggunakan kumpulan data berukuran besar untuk pengembangan algoritma maupun pengolahan permintaan pengguna. Untuk kebutuhan komputasi demikian, NAND G11 dapat menjadi dasar pengembangan penyimpanan berperforma tinggi. Kepadatan penyimpanan yang meningkat dapat membantu meningkatkan kapasitas perangkat. Sementara itu, pengembangan kecepatan komunikasi NAND dapat mendukung rancangan SSD generasi berikutnya, terutama apabila diintegrasikan dengan teknologi antarmuka modern.

Dalam peta jalan teknologinya, Micron menjelaskan rancangan penyimpanan yang dioptimalkan untuk kecerdasan buatan. Salah satu pendekatan pengembangannya adalah SSD dengan kemampuan operasi input dan output lebih besar melalui pengaturan akses data dengan granularitas lebih rendah. Konsep tambahan yang dipertimbangkan berfokus pada kemampuan pemindahan data dalam jumlah besar. Variasi permintaan sistem AI membuat pengembangan storage semakin beragam. Namun, penyimpanan NAND tidak memiliki fungsi identik dengan RAM berkecepatan tinggi. Masing-masing teknologi menempati peran berbeda dalam sistem, sehingga integrasi yang tepat tetap diperlukan untuk memperoleh kinerja optimal.

Kesimpulan: NAND G11 Menjadi Langkah Penting Masa Depan SSD

Pengenalan NAND generasi kesebelas Micron menunjukkan kemajuan signifikan dalam pengembangan media penyimpanan digital. Melalui rancangan NAND yang melampaui 400 lapisan, teknologi tersebut menargetkan kepadatan bit dua kali lebih besar dibandingkan generasi G9. Peningkatan kecepatan I/O hingga 1,5 kali lipat serta target penghematan energi per bit yang signifikan memperlihatkan potensi manfaat. Micron menargetkan peningkatan produksi pada paruh kedua 2027, sehingga hasil penerapan komersial masih perlu ditunggu. Bagi pengguna komputer, inovasi ini memberikan gambaran masa depan SSD. Menurut Anda, apakah kapasitas SSD yang semakin besar akan menjadi prioritas utama pengguna pada generasi perangkat berikutnya?