Micron Kembangkan NAND G11 dengan Lebih dari 400 Lapisan untuk SSD Mendatang

Perkembangan teknologi penyimpanan data kembali mencatat kemajuan setelah Micron Technology mengungkap rencana pengembangan NAND G11 dengan struktur lebih dari 400 lapisan. Inovasi yang dipaparkan dalam webinar teknologi perusahaan pada 21 Oktober 2026 ini ditujukan untuk meningkatkan kepadatan penyimpanan, kecepatan transfer, dan efisiensi energi pada generasi SSD mendatang. Dibandingkan NAND G9 yang menggunakan 276 lapisan, G11 menargetkan kepadatan bit sekitar dua kali lebih tinggi serta peningkatan kecepatan antarmuka hingga 50 persen. Micron juga memperkenalkan pendekatan wafer-on-wafer bonding sebagai bagian penting pengembangannya, dengan peningkatan produksi yang direncanakan mulai berlangsung pada paruh kedua 2027.

Pengembangan NAND G11 Menandai Kemajuan Teknologi Penyimpanan Data

Micron Technology kembali memperlihatkan rencana pengembangan terbaru melalui pengenalan NAND G11. Generasi memori terbaru ini dirancang menggunakan lebih dari 400 lapisan untuk memperbesar kepadatan data dalam area semikonduktor tertentu. Melalui penjelasan teknologinya, Micron menegaskan pentingnya pengembangan NAND untuk mendukung pertumbuhan pusat data. Langkah tersebut menjadi fondasi pengembangan SSD generasi baru yang mengutamakan efisiensi daya dan kinerja.

Perubahan penting dalam roadmap Micron adalah keputusan melewati penamaan generasi G10. Teknologi NAND G9 sebelumnya menggunakan 276 lapisan penyimpanan, sedangkan G11 menghadirkan rancangan dengan jumlah lapisan lebih tinggi. Berdasarkan informasi pengembangannya, arah pengembangan G11 difokuskan pada kebutuhan AI masa depan. Walaupun menawarkan kemajuan menarik, G11 masih berada dalam tahapan pengembangan menuju produksi. Oleh sebab itu, angka performa yang diumumkan sebaiknya dilihat sebagai proyeksi kemampuan generasi baru.

Keunggulan NAND G11 dalam Kepadatan Data dan Kecepatan Transfer

Salah satu peningkatan utama NAND G11 adalah kepadatan bit sekitar dua kali lipat dibandingkan G9. Menurut target Micron, kepadatan NAND G11 diproyeksikan mencapai sekitar 42 Gb per milimeter persegi. Peningkatan tersebut membuka peluang penambahan kapasitas tanpa harus memperbesar area chip secara sebanding. Pada sektor memori flash, densitas penyimpanan yang meningkat dapat memberikan fleksibilitas dalam merancang SSD. Meski demikian, ukuran penyimpanan produk komersial juga bergantung pada konfigurasi chip.

Tidak hanya memperbesar kemampuan penyimpanan, Micron juga merancang jalur komunikasi NAND dengan performa lebih tinggi. Jika dibandingkan generasi sebelumnya, G11 dirancang memiliki kemampuan antarmuka sekitar satu setengah kali lebih cepat. Perubahan performa antarmuka berpotensi membantu memperbesar laju pemindahan informasi internal. Walaupun target performanya menarik, kecepatan NAND tidak sama dengan kecepatan SSD secara keseluruhan. Faktor seperti pengendali SSD, pengelolaan cache dan penjadwalan operasi tetap menentukan hasil penggunaan dalam berbagai pekerjaan.

Arsitektur Wafer Bonding Mendukung Penyimpanan Generasi Berikutnya

Untuk mencapai peningkatan tersebut, Micron mengadopsi teknologi wafer-on-wafer bonding. Metode fabrikasi tersebut memisahkan proses produksi array penyimpanan dari rangkaian pendukung. Setelah masing-masing komponen selesai diproduksi, wafer disejajarkan dan disatukan melalui proses bonding. Pendekatan tersebut memberikan fleksibilitas dalam mengoptimalkan tiap bagian. Dengan demikian, sel memori dapat difokuskan pada kepadatan, sementara sirkuit pendukung diarahkan pada efisiensi.

Meski menawarkan keuntungan teknis, wafer-on-wafer bonding juga membutuhkan penyelarasan komponen secara akurat. Gangguan selama tahapan bonding dapat berdampak pada tingkat keberhasilan fabrikasi. Dengan mempertimbangkan tantangan ini, efektivitas penerapan skala industri menjadi faktor penting dalam pengembangan G11. Menurut rencana yang dipublikasikan perusahaan, pemanfaatan metode fabrikasi baru dilakukan ketika keuntungan performa dan biaya dipandang relevan. Pendekatan tersebut menunjukkan bahwa pengembangan NAND modern tidak hanya bergantung pada jumlah lapisan, tetapi juga memerlukan inovasi proses produksi.

Efisiensi Energi NAND G11 Mendukung Kebutuhan SSD Modern

Di samping peningkatan densitas penyimpanan, pengurangan kebutuhan daya memperoleh perhatian utama dalam perancangan NAND G11. Dalam proyeksi teknologinya, Micron memperkirakan, penurunan energi transfer per bit lebih dari 25 persen dibandingkan teknologi G9. Rencana penghematan energi itu menjadi keuntungan bagi infrastruktur komputasi modern yang memindahkan informasi dalam jumlah besar. Dalam lingkungan server yang padat, penghematan energi pada komponen dapat membantu meningkatkan efisiensi operasional. Meski demikian, target tersebut berkaitan dengan energi transfer per bit, bukan angka penurunan konsumsi seluruh sistem.

Untuk perangkat komputasi konsumen, penghematan energi dalam memori flash juga memiliki nilai tambah bagi rancangan sistem. SSD dengan konsumsi energi lebih terkendali dapat membantu pengelolaan daya selama pemindahan data ketika menangani beban kerja berkelanjutan. Meski keunggulannya menjanjikan, konsumsi daya sistem komputer tetap ditentukan oleh sejumlah faktor tambahan. Sistem pengelolaan perangkat, pengaturan operasi dan manajemen energi juga menentukan hasil penggunaan nyata. Karena itu, pengujian produk komersial tetap diperlukan sebelum peningkatan daya dapat dibandingkan secara akurat.

Teknologi Penyimpanan G11 Mendukung Perkembangan Infrastruktur AI

Pertumbuhan teknologi kecerdasan buatan meningkatkan permintaan terhadap media penyimpanan cepat. Infrastruktur kecerdasan buatan sering memproses informasi dengan volume tinggi untuk pembelajaran sistem kecerdasan buatan maupun proses inferensi. Dalam lingkungan tersebut, NAND G11 berpotensi mendukung SSD berkapasitas besar. Struktur NAND dengan densitas tinggi dapat memberikan fleksibilitas desain produk. Sementara itu, kemampuan transfer internal yang lebih cepat dapat mendukung rancangan SSD generasi berikutnya, terutama apabila diintegrasikan dengan teknologi antarmuka modern.

Micron juga memaparkan arah pengembangan SSD khusus AI. Di antara gagasan yang disampaikan adalah perangkat storage untuk menangani banyak permintaan akses melalui optimalisasi operasi transfer berukuran kecil. Arah inovasi yang berbeda berfokus pada peningkatan bandwidth penyimpanan. Kebutuhan tersebut mendorong optimalisasi penyimpanan berdasarkan penggunaan. Walaupun teknologi G11 memiliki potensi, SSD berbasis NAND tidak otomatis menggantikan HBM atau DRAM. Setiap jenis memori menempati peran berbeda dalam sistem, sehingga perancangan sistem menyeluruh tetap memegang peranan utama.

Kesimpulan: NAND G11 Menjadi Langkah Penting Masa Depan SSD

Pengembangan NAND G11 oleh Micron menjadi langkah penting dalam teknologi semikonduktor modern. Melalui rancangan NAND yang melampaui 400 lapisan, teknologi tersebut menargetkan kepadatan bit dua kali lebih besar dibandingkan NAND pendahulunya. Target antarmuka yang lebih cepat hingga 1,5 kali lipat serta target penghematan energi per bit yang signifikan menjadi bagian dari keunggulan yang direncanakan. Tahapan manufaktur G11 dijadwalkan meningkat pada paruh kedua 2027, sehingga kinerja produk akhirnya belum dapat dipastikan. Untuk pengamat industri teknologi, inovasi ini menjadi perkembangan yang menarik untuk diikuti. Menurut Anda, apakah kecepatan penyimpanan yang terus meningkat akan lebih dibutuhkan dalam perkembangan teknologi AI pada masa depan industri digital?