Micron Kembangkan NAND G11 dengan Lebih dari 400 Lapisan untuk SSD Mendatang
Perkembangan teknologi penyimpanan data kembali mencatat kemajuan setelah Micron Technology mengungkap rencana pengembangan NAND G11 dengan struktur lebih dari 400 lapisan. Inovasi yang dipaparkan dalam webinar teknologi perusahaan pada 21 Oktober 2026 ini ditujukan untuk meningkatkan kepadatan penyimpanan, kecepatan transfer, dan efisiensi energi pada generasi SSD mendatang. Dibandingkan NAND G9 yang menggunakan 276 lapisan, G11 menargetkan kepadatan bit sekitar dua kali lebih tinggi serta peningkatan kecepatan antarmuka hingga 50 persen. Micron juga memperkenalkan pendekatan wafer-on-wafer bonding sebagai bagian penting pengembangannya, dengan peningkatan produksi yang direncanakan mulai berlangsung pada paruh kedua 2027.
Pengembangan NAND G11 Menandai Kemajuan Teknologi Penyimpanan Data
Produsen memori asal Amerika Serikat tersebut mengungkapkan strategi inovasi generasi mendatang melalui pengumuman teknologi NAND generasi kesebelas. Generasi memori terbaru ini ditargetkan memiliki susunan melebihi 400 lapisan untuk mengoptimalkan jumlah informasi yang disimpan dalam area semikonduktor tertentu. Pada pemaparan roadmap tersebut, Micron menegaskan pentingnya pengembangan NAND untuk menjawab kebutuhan komputasi modern. Pendekatan teknologi tersebut menjadi upaya meningkatkan efisiensi penyimpanan yang menuntut kapasitas semakin besar.
Salah satu keputusan menarik adalah pengembangan G11 sebagai penerus teknologi G9. Arsitektur memori flash G9 menggunakan struktur memori dengan 276 tingkatan, sedangkan G11 dipersiapkan membawa perubahan kepadatan signifikan. Berdasarkan informasi pengembangannya, rancangan memori generasi baru dioptimalkan untuk penyimpanan berbasis kecerdasan buatan. Meskipun demikian, G11 belum menjadi produk SSD komersial yang tersedia luas. Dengan demikian, sasaran peningkatan teknis sebaiknya dipahami sebagai target pengembangan.
Teknologi NAND G11 Menawarkan Kepadatan Penyimpanan Dua Kali Lebih Tinggi
Keunggulan teknis yang paling menonjol NAND G11 adalah kemampuan menempatkan sekitar dua kali lebih banyak bit per satuan luas. Berdasarkan sasaran perusahaan, kepadatan NAND G11 diperkirakan mencapai kurang lebih 42 gigabit per milimeter persegi. Perubahan arsitektur tersebut mendukung penyimpanan informasi yang lebih padat tanpa memerlukan pertambahan luas semikonduktor dengan rasio sama. Dalam industri SSD, kemampuan menyimpan lebih banyak bit dapat membantu menghasilkan SSD berkapasitas besar. Walaupun begitu, jumlah data yang dapat ditampung perangkat juga ditentukan oleh jumlah paket NAND yang digunakan.
Di samping menghadirkan struktur lebih padat, Micron juga mengembangkan kemampuan transfer data lebih cepat. Terhadap teknologi NAND generasi kesembilan, G11 diproyeksikan mencapai kecepatan I/O hingga 1,5 kali lipat. Kemajuan pada jalur transfer ini berpotensi meningkatkan kemampuan komunikasi chip penyimpanan. Kendati peningkatan I/O cukup signifikan, kemampuan chip flash tidak otomatis menentukan hasil benchmark SSD. Faktor seperti pengendali SSD, jumlah chip yang bekerja paralel tetap berperan dalam menentukan kecepatan nyata.
Micron Menggunakan Penyatuan Wafer untuk Mengembangkan Memori Flash
Dalam mendukung rancangan generasi baru, Micron memanfaatkan metode penyatuan wafer. Metode fabrikasi tersebut memberikan kesempatan mengembangkan bagian memori dan logika pada wafer berbeda. Sesudah struktur semikonduktor disiapkan, wafer digabungkan menggunakan teknik penyambungan presisi. Pendekatan tersebut memungkinkan pemilihan proses manufaktur yang lebih sesuai. Dengan demikian, sel memori dapat difokuskan pada kepadatan, sementara bagian logika dioptimalkan sesuai kebutuhan operasional.
Kendati pendekatan tersebut menjanjikan, wafer-on-wafer bonding juga memerlukan pengendalian proses fabrikasi yang presisi. Kesalahan pada proses penyatuan dapat mempengaruhi hasil produksi. Dengan mempertimbangkan tantangan ini, efektivitas penerapan skala industri menjadi aspek utama untuk mencapai biaya produksi kompetitif. Micron menyatakan bahwa, pemanfaatan metode fabrikasi baru dilakukan ketika teknologi tersebut dinilai memberikan manfaat yang sesuai. Pendekatan tersebut menunjukkan bahwa kemajuan semikonduktor penyimpanan tidak hanya bergantung pada jumlah lapisan, tetapi juga memerlukan inovasi proses produksi.
Micron Menargetkan Pengurangan Konsumsi Energi Transfer Data
Selain kapasitas dan kecepatan, optimalisasi konsumsi energi menjadi sasaran tambahan dalam penyempurnaan arsitektur penyimpanan Micron. Dalam proyeksi teknologinya, Micron memperkirakan, penurunan energi transfer per bit lebih dari 25 persen dibandingkan teknologi G9. Target efisiensi ini berpotensi memberikan manfaat bagi pusat data yang menangani aktivitas transfer sepanjang waktu. Pada fasilitas berskala besar, penghematan energi pada komponen dapat membantu meningkatkan efisiensi operasional. Perlu diperhatikan, target tersebut berkaitan dengan energi transfer per bit, bukan pengurangan total daya SSD dengan persentase sama.
Pada laptop dan komputer desktop, penghematan energi dalam memori flash juga dapat memberikan manfaat potensial. Perangkat penyimpanan yang lebih hemat daya dapat membantu pengelolaan daya selama pemindahan data ketika menangani beban kerja berkelanjutan. Walaupun demikian, temperatur operasional SSD tetap dipengaruhi berbagai komponen lain. Sistem pengelolaan perangkat, firmware dan konfigurasi daya juga menentukan hasil penggunaan nyata. Oleh sebab itu, pengujian produk komersial tetap diperlukan sebelum manfaat efisiensi dapat dinilai secara menyeluruh.
Teknologi Penyimpanan G11 Mendukung Perkembangan Infrastruktur AI
Meningkatnya penggunaan kecerdasan buatan membuat kapasitas penyimpanan menjadi semakin penting. Infrastruktur kecerdasan buatan sering membutuhkan akses ke dataset dalam jumlah luas untuk pembelajaran sistem kecerdasan buatan maupun pelaksanaan model yang telah dilatih. Pada infrastruktur seperti ini, NAND G11 dapat menjadi dasar pengembangan penyimpanan berperforma tinggi. Struktur NAND dengan densitas tinggi dapat membantu meningkatkan kapasitas perangkat. Sementara itu, pengembangan kecepatan komunikasi NAND dapat mendukung rancangan SSD generasi berikutnya, terutama apabila dikombinasikan dengan pengendali yang sesuai.
Dalam peta jalan teknologinya, Micron menjelaskan strategi produk storage bagi pusat data AI. Di antara gagasan yang disampaikan adalah perangkat storage untuk menangani banyak permintaan akses melalui pengaturan akses data dengan granularitas lebih rendah. Pendekatan lainnya berfokus pada optimalisasi laju pertukaran informasi. Perbedaan karakteristik beban kerja ini mendorong optimalisasi penyimpanan berdasarkan penggunaan. Namun, penyimpanan NAND tidak memiliki fungsi identik dengan RAM berkecepatan tinggi. Setiap jenis memori digunakan sesuai kebutuhan performa, sehingga pengelolaan hierarki memori tetap memegang peranan utama.
Micron Membuka Peluang Baru Penyimpanan Berkapasitas Tinggi
Rencana teknologi memori flash G11 memperlihatkan arah perkembangan menarik dalam pengembangan media penyimpanan digital. Berkat arsitektur memori bertingkat tinggi, teknologi tersebut menargetkan kepadatan bit dua kali lebih besar dibandingkan generasi G9. Target antarmuka yang lebih cepat hingga 1,5 kali lipat serta peningkatan efisiensi pemindahan informasi memberikan gambaran kemampuan generasi baru. Perusahaan merencanakan perluasan produksi pada paruh kedua 2027, sehingga kinerja produk akhirnya belum dapat dipastikan. Bagi pengguna komputer, inovasi ini menjadi perkembangan yang menarik untuk diikuti. Menurut Anda, apakah efisiensi energi media penyimpanan akan lebih dibutuhkan dalam perkembangan teknologi AI pada beberapa tahun mendatang?
